RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
70
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
70
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
1971
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link