RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3855
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link