RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3279
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link