RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3419
3638
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link