RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3594
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link