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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
74
Por volta de -164% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
15.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3594
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
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