RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3573
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link