RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3001
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link