RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3242
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link