RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2946
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link