RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
51
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2946
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link