RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3324
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link