RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
51
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
14.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3324
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link