RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
51
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
41
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3100
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link