RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
51
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
41
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3100
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link