RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3159
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link