RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3857
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link