RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,096.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
60
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,096.4
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2704
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link