RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2659
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link