RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
73
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
73
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
1843
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link