RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
65
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2058
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link