RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
65
Autour de 54% latence réduite
Raisons de considérer
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
65
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2058
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link