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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
73
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
9.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
1843
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB RAM-Vergleiche
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
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