RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
51
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2221
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link