RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
51
Около -31% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2221
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link