RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.4
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
12.5
Скорость записи, Гб/сек
9.1
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
2361
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link