RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2847
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link