RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
51
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
42
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2476
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link