RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
51
Intorno -21% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
42
Velocità di lettura, GB/s
15.6
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2476
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link