RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2858
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link