RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2478
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 99U5403-002.A00G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link