RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
51
Por volta de -55% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
33
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
10.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2478
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link