RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3157
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link