RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3771
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link