RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
68
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3001
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link