RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
41
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
2994
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link