RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
68
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
3001
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link