RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
57
59
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
59
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
5.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
2225
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link