RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3373
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link