RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
48
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
31
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3222
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link