RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3313
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link