RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
51
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3313
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link