RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
51
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3703
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
UMAX Technology 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link