RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3660
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link