RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
17.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3660
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link