RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3889
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link