RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
51
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
18
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3871
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link