RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
51
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3422
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9905403-870.A01LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link