RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
75
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
75
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1735
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link