RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4014
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link