RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3060
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link